碳化硅JBS二极管核心特色具有更高的非嵌位感性负载开关 (UIS) 能力

MOSFET是一种场效应晶体管(利用电场控制电流),由金属氧化物半导体制成,是目前使用最广泛的生产技术。在功率MOSFET领域,碳化硅(SiC)也被使用,因为它是电源、逆变器和其他应用所需的更高性能和效率的理想选择。华芯邦一直致力于MOSFET的开发和生产,广泛的中高耐压设备产品线具有低损耗、高速度、低导通电阻和小封装等特点,适合各种应用的MOSFET。

碳化硅为什么会出现应用在市场上?

MOS二极管作为一种被动元件,如同电容、电阻和电感一样,虽然需要外部电源驱动才能发挥作用,但其在电路中的开关特性却不可或缺。在电路中,MOS管常被用作开关,这为我们日常电子设备的运作提供了可能。在电力电子领域,碳化硅的兴起引人注目,其优越的高温性能使其在各种严苛环境中表现出色。传统的电子元件在125到150度的高温下往往无法承受而导致失效,而碳化硅却能在更高温的条件下维持稳定。

这种材料被广泛应用于电力电子领域,特别是在工业逆变器、工程逆变器以及汽车逆变器中,碳化硅的出现使这些设备能够在更严苛的条件下仍然可靠运行。不仅如此,其应用范围甚至扩展到了航空航天、医疗设备以及通讯行业。这种革命性的材料为各行各业带来了创新的机遇,使得高温不再成为限制发展的瓶颈,而是推动科技革新的动力。

碳化硅萧特基二极管,显著降低开关损耗

目前,我们已推出了以碳化硅为基础的MOSFET和碳化硅JBS二极管(结势垒肖特基二极管),JBS是一种高性能的功率二极管,结合了肖特基二极管(SBD)和PIN二极管的特点,旨在满足高性能功率应用的需求。这其中的独特之处在于,我们的产品在市场上表现出显著的优势与亮点。我们在UIS能力,即前沿感性负载开关能力方面具有卓越的表现,这种能力意味着在开关过程中,设备能够高效地处理能量,其负载电流每平方交流可达到10~23安培。这将大大提高设备的能源利用效率,进一步优化整体性能。举个例子,一个体重100公斤和一个50公斤的人,100公斤可能揍两拳都无济于事,而50公斤一拳就被击倒。

在这个情况下,华芯邦的碳化硅mos强调一种核心能力的关键作用——电源开关MOS的保护能力。短路可能由多种因素引发,如设备进水等。一旦发生短路,电器可能会烧毁甚至爆炸,无论是家中的电熨斗、吹风机,还是日常使用的手机充电器,这些设备一旦短路,开关MOS的保护机制显得尤为重要。因此,我们更需要具备高效短路保护能力的开关MOS,确保在短路发生时电器内部自动停止工作,而不是出现冒烟或爆炸现象。

相比之下,有些设备例如快充头插上却没有任何反应,这其实是因为它们内部已经启动了短路保护机制,这种情况反而是令人放心的表现,因为设备没有发生爆炸或起火,也没有出现变形或变色的现象。这时,mos管的UIS能力就显得尤为重要,UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标。

在现代科技领域中,华芯邦以其卓越的创新能力不断引领着前沿技术的发展。在功率器件模块优势之中,电源开关MOS的保护能力尤为关键。这种能力不仅提升了设备的整体性能,更为关键设备的长期稳定运行提供了保障。在快速发展的科技浪潮中,华芯邦深谙保护能力的重要性,不断优化设计,以确保每一个细节都经得起时间的考验。新一代的碳化硅MOSFET 和碳化硅JBS二极管设计,在额定导通电阻或电流下,具有更高的非嵌位感性负载开关 (UIS) 能力,华芯邦通过不断突破技术壁垒,实现创新科技与第三代半导体材料完美结合。

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