碳化硅MOSFET单管HXSM080N120PT

碳化硅MOSFET单管HXSM080N120PT

HXSM080N120PT(状态:NPI)碳化硅MOSFET应用于功率因数校正,汽车,逆变器,开关电源,UPS,储能。采用新一代材料和工艺技术,具有高压、耐高温、低逆恢复电流的优越特点,使系统能够提供更高的功率,实现更好的快速切换速度,不受温度的影响。碳化硅可以具有较低的RDS(ON)、EMI和更小的系统尺寸和低成本。

1、规格参数

TA=25℃,除非另有说明。

关闭特性
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
排水源故障电压 BVDSS VGS = 0V, ID = 100uA 1200 V
BVDSS温度系数 △BVDSS /△TJ Reference to 25℃ , ID=5.0mA 0.3 V/℃
零栅极电压漏电流 IDSS VDS=1200V , VGS=0V TJ=25℃ 100 uA
TJ=150℃ 1 mA
门体泄漏 IGSS VGS=-15/+25V, VDS=0V ±1.0 uA
特征
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
栅极阈值电压 VGS( th ) VDS=VGS, IDS=5.0mA 1.75 2.65 4.4 V
疏水源电阻 RDS(ON) VGS=20V, IDS=20A 80 110
VGS=20V, IDS=20A TJ=150℃ 125 161
正向跨导 gfs VDS=10V , ID=5.0A 11.3 S
动态特性
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电容 Ciss VDS=800V, VGS=0V, f=1MHz 1112 1670 pF
输出电容 Coss 80 120
反向转移[传输]电容 Crss 6.5 10
反向转移[传输]电容 EOSS 32 uJ
交换特性
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
接通延迟时间 Td(on) VDS=800V, IDS =20A, VGS= -5/+20V, RGEN=4.7Ω 14.6 30 ns
上升时间 tr 21.5 44
 断开延迟时间 Td(off) 54 108
下降时间 tf 84.3 168
接通开关损耗 Eon 314 uJ
关断开关损耗 Eoff 32
总开关损耗 Ets 346
闸门总收费 Qg VDS=600V, IDS=20A, VGS=-5/+20V 39.7 80 nC
闸门到源闸门充电 Qgs 5.4 10
排水门为“米勒”充电 Qgd 11.2 22
栅电阻 Rg VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz 1.4 Ω
二极管特性和最大额定值
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
二极管正向电压 VSD VGS=-5.0V, IS=10A, TJ=25℃ 3.7 V
反向回收能量 Erec IS=20A, VGS=-5.0V, VR=600V,dISD/dt=1000A/us 29 uJ
二极管反向恢复时间 trr 18 ns
二极管反向充电 Qrr 80 nC
峰值反向恢复电流 Irrm 9 A

2、产品特性

  • 低条件和开关损耗
  • 高温应用
  • 快速反向恢复
  • 高浪涌电流能力
  • 无铅表面处理;符合RoHS的要求
  • 无卤素和锑。“绿色”装置
  • 塑料外壳材料的UL可燃性分类等级为94V-0

3、典型应用电路图

HXSM080N120PT典型应用电路图

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