一、先进封装的起源与技术内涵
先进封装是“超越摩尔”（More than Moore）战略下提升芯片性能的核心路径。随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，器件小型化面临成本激增、功耗与存储瓶颈等问题，行业转向通过系统集成技术实现性能突破。与传统封装仅实现“芯片包裹”不同，先进封装更强调“系统构建”，通过倒装芯片、晶圆级封装、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）等技术，在有限空间内集成多芯片功能，具备高性能、小尺寸、低功耗等显著优势，已成为AI时代算力提升的关键支撑。
二、技术演进：从探索验证到平台化创新
全球技术主线：以台积电CoWoS为核心的2.5D封装演进
台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术是先进封装的标杆，其发展历程可分为三个阶段：
探索与验证期（2008-2015年）：聚焦硅中介层技术研发。2008年台积电成立集成互联与封装技术整合部门，2010年启动2.5D中介层技术开发，2011年推出初代CoWoS技术并应用于赛灵斯FPGA产品。此阶段同步研发低成本方案InFO（集成扇出封装），以满足消费电子需求。
规模化商用期（2016-2021年）：伴随AI芯片算力需求爆发，CoWoS进入商用阶段。2016年英伟达P100 GPU首次采用CoWoS技术，实现HBM内存与GPU核心集成，开启高性能计算市场对先进封装的规模化需求。台积电持续优化良率与成本，推动技术落地。
技术平台化阶段（2022年至今）：构建3D Fabric技术平台，整合CoWoS、InFO、SoIC（系统集成芯片）三大分支，形成覆盖高性能到高扩展性的完整解决方案。其中，CoWoS-R通过重新布线层（RDL）替代硅中介层降低成本，2023年实现量产；CoWoS-L则采用“局部硅互联+全局RDL”混合中介层设计，平衡大尺寸封装的性能与成本，计划2024年量产并应用于英伟达下一代Blackwell系列GPU。
三、市场驱动：AI与算力需求的“飞轮效应”
（一）核心需求来源
先进封装市场增长主要由高性能计算、AI、机器学习及数据中心驱动。AI芯片对算力与内存带宽的需求呈指数级增长（如英伟达H200通过CoWoS实现480GB/s互联速度，远超传统PCB的几十GB/s极限），直接拉动高端封装技术迭代。
（二）市场规模与增速
据行业数据，全球先进封装市场规模将从2023年的378亿美元增长至2029年的695亿美元，年复合增长率（CAGR）达11.2%。其中，2.5D/3D封装作为核心增量领域，2023-2029年CAGR更高达30.5%，成为市场增长的主要引擎。
（三）区域需求特征
北美云厂商资本开支在2025年第二季度创历史新高，叠加全球“算力即国力”趋势下各国对本土算力产业的加码，进一步释放先进封装的本土需求，自主可控成为重要发展方向。
四、供给格局：全球竞争与国产突围
（一）全球领先厂商动态
台积电凭借CoWoS技术占据高端市场主导地位，当前产能供不应求，计划2026年将月产能提升至9-11万片。此外，英特尔、三星等也通过各自技术平台（如英特尔EMIB、三星H-Cube）争夺市场份额。
（二）国产厂商的优势与突破
中国封测产业在全球具有传统优势，头部企业（长电科技、通富微电、华天科技、华芯振邦等）已在中高端封装领域占据一定市场份额，并加速向更高端技术突破。行业新分工模式（前道晶圆厂与后道OSAT厂协作完成CoWoS制造）降低了OSAT厂进入高端市场的门槛，为国产厂商提供了追赶机遇。目前，国产厂商正从“技术追赶”向“局部引领”迈进，2025年将成为高端产线高速扩张的关键窗口期。
五、未来趋势与风险提示
（一）关键发展趋势
技术平台化深化：以台积电3D Fabric为代表，封装技术将进一步整合为标准化平台，支持多芯片异构集成与快速迭代。
国产技术突破加速：2025年国产封测厂商有望在2.5D/3D封装产线实现规模化落地，长电科技、通富微电等龙头企业将成为技术突破核心载体。
应用场景扩展：除AI与数据中心外，先进封装将向5G、智能驾驶、边缘计算等领域渗透，推动行业需求多元化。
（二）潜在风险
AI产业发展不及预期：若算力需求增速放缓，可能导致高端封装产能利用率不足。
设备与材料配套瓶颈：先进封装依赖的高精度键合设备、特种封装材料等仍存在供应链风险。
国际形势不确定性：全球半导体产业链地缘政治摩擦可能影响技术合作与产能布局。
六、总结
先进封装已成为AI时代芯片性能提升的“关键基座”，其技术演进与市场增长深度绑定算力需求。全球竞争中，台积电等头部企业凭借技术先发优势占据主导，而中国厂商正依托封测产业传统优势与新分工模式，在2025年关键窗口期向高端市场突围。未来，技术平台化、国产替代与应用扩展将驱动行业持续增长，但需警惕需求波动、供应链风险与国际环境不确定性。
