碳化硅MOSFET单管HXSM080N120PT

碳化硅MOSFET单管HXSM080N120PT

HXSM080N120PT(状态:NPI)碳化硅MOSFET应用于功率因数校正,汽车,逆变器,开关电源,UPS,储能。采用新一代材料和工艺技术,具有高压、耐高温、低逆恢复电流的优越特点,使系统能够提供更高的功率,实现更好的快速切换速度,不受温度的影响。碳化硅可以具有较低的RDS(ON)、EMI和更小的系统尺寸和低成本。

1、规格参数

TA=25℃,除非另有说明。

关闭特性
参数符号条件最小值典型值最大值单位
排水源故障电压BVDSSVGS = 0V, ID = 100uA1200V
BVDSS温度系数△BVDSS /△TJReference to 25℃ , ID=5.0mA0.3V/℃
零栅极电压漏电流IDSSVDS=1200V , VGS=0VTJ=25℃100uA
TJ=150℃1mA
门体泄漏IGSSVGS=-15/+25V, VDS=0V±1.0uA
特征
参数符号条件最小值典型值最大值单位
栅极阈值电压VGS( th )VDS=VGS, IDS=5.0mA1.752.654.4V
疏水源电阻RDS(ON)VGS=20V, IDS=20A80110
VGS=20V, IDS=20ATJ=150℃125161
正向跨导gfsVDS=10V , ID=5.0A11.3S
动态特性
参数符号条件最小值典型值最大值单位
输入电容CissVDS=800V, VGS=0V, f=1MHz11121670pF
输出电容Coss80120
反向转移[传输]电容Crss6.510
反向转移[传输]电容EOSS32uJ
交换特性
参数符号条件最小值典型值最大值单位
接通延迟时间Td(on)VDS=800V, IDS =20A, VGS= -5/+20V, RGEN=4.7Ω14.630ns
上升时间tr21.544
 断开延迟时间Td(off)54108
下降时间tf84.3168
接通开关损耗Eon314uJ
关断开关损耗Eoff32
总开关损耗Ets346
闸门总收费QgVDS=600V, IDS=20A, VGS=-5/+20V39.780nC
闸门到源闸门充电Qgs5.410
排水门为“米勒”充电Qgd11.222
栅电阻RgVGS=0V, VDS=0V, F=1MHz1.4Ω
二极管特性和最大额定值
参数符号条件最小值典型值最大值单位
二极管正向电压VSDVGS=-5.0V, IS=10A, TJ=25℃3.7V
反向回收能量ErecIS=20A, VGS=-5.0V, VR=600V,dISD/dt=1000A/us29uJ
二极管反向恢复时间trr18ns
二极管反向充电Qrr80nC
峰值反向恢复电流Irrm9A

2、产品特性

  • 低条件和开关损耗
  • 高温应用
  • 快速反向恢复
  • 高浪涌电流能力
  • 无铅表面处理;符合RoHS的要求
  • 无卤素和锑。“绿色”装置
  • 塑料外壳材料的UL可燃性分类等级为94V-0

3、典型应用电路图

HXSM080N120PT典型应用电路图

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