HT9126DA 芯片内部集成 500V 功率 MOSFET，它采用 DIP8 封装，外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。
HT9126DA 内部集成了丰富的保护功能，包括过压保护，逐周期电流保护，短路保护，过温输出电流控制和软启动等。HT9126DA 具有极低的启动电流和工作电流，可在全电压交流输入（85VAC~265VAC）范围内高效驱动 LED。HT9126DA 提供 8-Pin 的 DIP-8 封装。
1、规格参数
(若无特殊说明，TA=25℃，VCC=7V)
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
| 电源供电部分 | |||||||||
| Vcc_clamp | VCC 钳位电压 | 6.7 | 7.5 | 8.3 | V | ||||
| Icc_clamp | VCC 钳位电流 | 5 | mA | ||||||
| VCC_ST | 芯片启动电压 | VCC 上升 | 6.7 | V | |||||
| Vuvlo_HYS | 欠压保护迟滞 | VCC 下降 | 1.5 | V | |||||
| Ist | 启动电流 | VCC<VCC_ST-0.5V | 60 | 100 | uA | ||||
| Iop | 工作电流 | 400 | uA | ||||||
| 电流采样部分 | |||||||||
| Vcs_th | 电流检测阈值 | 370 | 380 | 390 | mV | ||||
| TLEB | 电流采样消隐时间 | 650 | ns | ||||||
| 内部驱动 | |||||||||
| TOFF_MIN | 最小退磁时间 | 3 | us | ||||||
| TON_MAX | 最大开通时间 | 30 | us | ||||||
| 反馈输入部分 | |||||||||
| VFB | OVP 阈值电压 | 1.2 | V | ||||||
| 高压功率管部分 | |||||||||
| RDSON | 高压MOS导通电阻 | 8.5 | 11 | Ω | |||||
| VDS | MOS 漏源击穿电压 | 500 | V | ||||||
| 过温保护 | |||||||||
| TSD | 过热关断温度 | 160 | ℃ | ||||||
| TSD_HYS | 过热保护迟滞 | 30 | ℃ | ||||||
| TADJ | 过热调节温度 | 130 | ℃ | ||||||
2、产品特性
- 内置 500V 功率 MOSFET
- 无需辅助线圈供电
- 谷底开关，高效率，低EMI
- 自动补偿电感的感量变化
- 自动适应输出电压变化
- LED 开路保护
- 过压保护
- 采用智能温控技术，芯片温度大于130℃时自动降低电流
- 开路保护
- 短路保护
- 外围元件少
3、典型应用电路图
4、管脚图及功能说明
| 引脚名 | 引脚号 | 功能说明 |
| NC | 1 | NC | |
| VCC | 2 | 芯片电源端 | |
| FB | 3 | 反馈信号输入 | |
| CS | 4 | 内部高压 MOS 管的源极，电流采样端 | |
| D | 5，6 | 内部高压 MOS 管的漏极 | |
| GND | 7,8 | 芯片地 |
5、功能特色
（1）启动电阻
（2）芯片供电
（3）采样电阻
（4）电感设计
（5）FB 电压检测
（6）输出开（短）路保护
（7）过热自动调节输出电流
（8）输入滤波电容
